[发明专利]晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法在审
| 申请号： | 201811647865.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111383993A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 秦晓珊 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路的器件晶圆中形成下空腔，并使下空腔的开口还从器件晶圆的背面暴露出，以及将压电谐振片形成在器件晶圆的背面，并使压电谐振片从器件晶圆的背面与器件晶圆中的控制电路电性连接，实现了晶体谐振器和控制电路的集成设置。相比于传统的晶体谐振器，本发明中的晶体谐振器具备更小的尺寸，有利于降低晶体谐振器的功耗，并且本发明中的晶体谐振器更也易于与其他半导体元器件集成，从而能够提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 谐振器 控制电路 集成 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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