[发明专利]多层结构的顶部膜层的去除方法

摘要

本发明公开了一种多层结构的顶部膜层的去除方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成由多层结构形成的图形结构；步骤二、在多层结构的间隔区域中形成刻蚀速率小于顶部膜层的有机保护层，有机保护层保证将顶部膜层的表面露出以及将中间被保护膜层的侧面覆盖；步骤三、采用第一次湿法刻蚀工艺去除顶部膜层；步骤四、去除有机保护层。本发明能在去除顶部膜层过程中对底部的膜层进行保护，防止多层结构的底切或倒掉。

主权项

1.一种多层结构的顶部膜层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成由多层结构形成的图形结构，所述多层结构的顶部膜层为需要去除的牺牲层，所述顶部膜层底部的所述多层结构中具有至少一层和所述顶部膜层刻蚀速率接近的中间被保护膜层；所述多层结构之间为间隔区域；步骤二、在所述间隔区域中形成有机保护层，所述有机保护层的刻蚀速率小于所述顶部膜层的刻蚀速率；所述有机保护层保证将所述顶部膜层的表面露出，所述有机保护层的顶部表面保证高于最高的所述中间被保护膜层的顶部表面，使所述有机保护层从侧面对各所述中间被保护膜层进行保护；步骤三、采用第一次湿法刻蚀工艺去除所述顶部膜层；在所述第一次湿法刻蚀工艺中所述有机保护层的厚度保持不变；或者，在所述第一次湿法刻蚀工艺中，所述有机保护层会消耗，在所述第一次湿法刻蚀工艺之后，剩余的所述有机保护层的顶部表面要保证高于最高的所述中间被保护膜层的顶部表面；步骤四、去除所述有机保护层。