[发明专利]半导体器件及制作方法有效
| 申请号： | 201811653145.6 | 申请日： | 2018-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111384167B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李静文 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供的半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层远离衬底一侧的第二半导体层；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的至少两个电极，其中任意相邻的两个电极分别为第一电极和第二电极；设置在所述第一电极一侧的复合结构，且所述复合结构和第一电极连接形成复合电极；所述复合结构包括第三半导体层和位于第三半导体层远离衬底一侧的第四半导体层；所述第四半导体层的电极性与所述的第二半导体层的电极性相反。通过复合结构和第一电极之间电连接形成复合漏电极，可以有效地提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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