[实用新型]一种波长无关高消光比的硅光子调制器有效
申请号: | 201820001963.7 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN207895208U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 方青;陈晓铃;胡娟;陈华;张志群 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | G02F1/21 | 分类号: | G02F1/21;G02B6/12;G02B6/125 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种波长无关高消光比的硅光子调制器,属于半导体光信号传输技术领域。该硅光子调制器,硅层分为输入硅光子波导、主MZI结构中的硅光子3dB分束器、辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ、主MZI中的相位臂硅光子波导、硅光子输出波导、主MZI中的硅光子合束器和主MZI单元,输入硅光子波导通过主MZI结构中的硅光子3dB分束器分别连接辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ输入端,辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ输出端连接主MZI中的相位臂硅光子波导,主MZI中的相位臂硅光子波导内部设有主MZI单元,主MZI中的相位臂硅光子波导输出端连接硅光子输出波导。本实用新型通过对辅助MZI进行操作,可以有效解决当前MZI硅光子调制器低消光比和窄波长带宽的问题。 | ||
搜索关键词: | 光子 光子波导 调制器 相位臂 消光比 本实用新型 输出端连接 波长无关 光子输出 分束器 波导 光信号传输 波长带宽 连接辅助 有效解决 合束器 输入端 硅层 半导体 | ||
【主权项】:
1.一种波长无关高消光比的硅光子调制器,包括从下至上的SOI晶片的衬底(31)、SOI晶片的埋氧层(30)、硅层和硅光子波导的SiO2上包层(29),其特征在于:所述硅层分为输入硅光子波导(1)、主MZI结构中的硅光子3dB分束器(2)、辅助MZI单元Ⅰ(7)、辅助MZI单元Ⅱ(9)、主MZI中的相位臂硅光子波导、硅光子输出波导(17)、主MZI中的硅光子合束器(18)和主MZI单元(21),输入硅光子波导(1)通过主MZI结构中的硅光子3dB分束器(2)分别连接辅助MZI单元Ⅰ(7)、辅助MZI单元Ⅱ(9)输入端,辅助MZI单元Ⅰ(7)、辅助MZI单元Ⅱ(9)输出端连接主MZI中的相位臂硅光子波导,主MZI中的相位臂硅光子波导内部设有主MZI单元(21),主MZI中的相位臂硅光子波导输出端连接硅光子输出波导(17)。
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