[实用新型]一种波长无关高消光比的硅光子调制器有效

专利信息
申请号: 201820001963.7 申请日: 2018-01-02
公开(公告)号: CN207895208U 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 方青;陈晓铃;胡娟;陈华;张志群 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: G02F1/21 分类号: G02F1/21;G02B6/12;G02B6/125
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种波长无关高消光比的硅光子调制器,属于半导体光信号传输技术领域。该硅光子调制器,硅层分为输入硅光子波导、主MZI结构中的硅光子3dB分束器、辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ、主MZI中的相位臂硅光子波导、硅光子输出波导、主MZI中的硅光子合束器和主MZI单元,输入硅光子波导通过主MZI结构中的硅光子3dB分束器分别连接辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ输入端,辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ输出端连接主MZI中的相位臂硅光子波导,主MZI中的相位臂硅光子波导内部设有主MZI单元,主MZI中的相位臂硅光子波导输出端连接硅光子输出波导。本实用新型通过对辅助MZI进行操作,可以有效解决当前MZI硅光子调制器低消光比和窄波长带宽的问题。
搜索关键词: 光子 光子波导 调制器 相位臂 消光比 本实用新型 输出端连接 波长无关 光子输出 分束器 波导 光信号传输 波长带宽 连接辅助 有效解决 合束器 输入端 硅层 半导体
【主权项】:
1.一种波长无关高消光比的硅光子调制器,包括从下至上的SOI晶片的衬底(31)、SOI晶片的埋氧层(30)、硅层和硅光子波导的SiO2上包层(29),其特征在于:所述硅层分为输入硅光子波导(1)、主MZI结构中的硅光子3dB分束器(2)、辅助MZI单元Ⅰ(7)、辅助MZI单元Ⅱ(9)、主MZI中的相位臂硅光子波导、硅光子输出波导(17)、主MZI中的硅光子合束器(18)和主MZI单元(21),输入硅光子波导(1)通过主MZI结构中的硅光子3dB分束器(2)分别连接辅助MZI单元Ⅰ(7)、辅助MZI单元Ⅱ(9)输入端,辅助MZI单元Ⅰ(7)、辅助MZI单元Ⅱ(9)输出端连接主MZI中的相位臂硅光子波导,主MZI中的相位臂硅光子波导内部设有主MZI单元(21),主MZI中的相位臂硅光子波导输出端连接硅光子输出波导(17)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820001963.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top