[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置有效
申请号: | 201820009493.9 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN207918951U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 何怀亮 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括清洁室、设于清洁室后侧且能与清洁室对接的沉积室及设于清洁室与所述沉积室之间的密封机构,清洁室及沉积室的真空排气口均通过歧管与真空泵连接,歧管与清洁室连接的支路上设有第一真空阀。本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积装置将沉积室的内腔与清洁室的内腔之间设置密封机构,将对沉积室的内腔及对清洁室的内腔进行抽真空的管路设置成歧管,在歧管支路上设置第一真空阀,在需要更换清洁组件时,只需将密封机构关闭,再将第一真空阀关闭,即可单独对清洁室的内腔进行增压后开启的操作,这样能使更换清洁组件的时间缩短到3小时左右,提高更换效率,进而提高整体的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 清洁室 沉积室 内腔 等离子体增强化学气相沉积装置 歧管 密封机构 真空阀 本实用新型 清洁组件 真空泵连接 真空排气口 管路设置 生产效率 时间缩短 抽真空 增压 | ||
【主权项】:
1.等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于:包括清洁室、设于所述清洁室后侧且能与所述清洁室对接的沉积室及设于所述清洁室与所述沉积室之间的密封机构,所述清洁室及所述沉积室的真空排气口均通过歧管与真空泵连接,所述歧管与所述清洁室连接的支路上设有第一真空阀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820009493.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的