[实用新型]一种铝镓氮基紫外光源器件的结构有效
| 申请号： | 201820028341.3 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN207731944U | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光;王巧;刘云洲;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 符莹莹 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本实用新型提供了一种铝镓氮基紫外光源器件的结构，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤x | ||
| 搜索关键词： | 量子垒层 紫外光源 发光有源区 量子阱层 组分渐变 铝镓氮 半导体技术领域 空穴注入效率 本实用新型 电子限制 发光效率 交替设置 量子效率 能带结构 外延结构 优化器件 接触层 有效地 衬底 引入 | ||
【主权项】：
1.一种铝镓氮基紫外光源器件的结构，其特征在于：所述铝镓氮基紫外光源器件的结构的外延结构包括依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤x
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