[实用新型]用于WI-FI模块的射频功率放大器有效
| 申请号： | 201820039037.9 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN207691763U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 何江波;李志;韩科锋 | 申请（专利权）人： | 无锡中普微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F3/19;H03F3/24;H04W88/08 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 朱亦倩 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭露了一种用于WI‑FI模块中的射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路。本实用新型中的用于WI‑FI模块的射频功率放大器位于一块芯片上，无需采用SMD电容电感，也不需要采用基板进行封装，设计简单，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 射频功率放大器 射频功率放大 本实用新型 射频输出端 射频输入端 匹配电路 第一级 电感 输出匹配电路 输入匹配电路 第三级 基板 耦接 封装 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种用于WI‑FI模块中的射频功率放大器，其特征在于，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路，其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第三级射频功率放大结构包括第三射频功率放大晶体管和第三偏置电路，第三偏置电路给第三射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，输入匹配电路包括耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电感L3和电容C3，第一级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4和电容C5，耦接于电容C4和电容C5的中间节点和接地端之间的电感L4，第二级间匹配电路包括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和第三射频功率放大晶体管的基极之间的电容C6、电容C7和电容C8、耦接于电容C6和电容C7的中间节点和接地端之间的电感L5和耦接于电容C7和电容C8的中间节点和接地端之间的电感L6，输出匹配电路包括耦接于电源端和第三射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC3、依次耦接于第三射频功率放大晶体管的集电极和射频输出端之间的电感L8和电容C11，耦接于电感L8和电容C11的中间节点和接地端之间的电容C10和耦接于射频输出端和接地端之间的电感L9。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中普微电子有限公司，未经无锡中普微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820039037.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于NB-IOT技术的射频功率放大器
- 下一篇：一种滤波柜
