[实用新型]一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置有效
| 申请号： | 201820051423.X | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN207742939U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨燕;王滨;王海时;彭映杰;李英祥;王天宝;杜江;陈霞 | 申请（专利权）人： | 成都信息工程大学 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 钱成岑 |
| 地址： | 610225 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 提供了一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，包括：ECC译码器电路、读取状态机电路。对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，具备一定的纠正读取数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，极大地提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性，解决了现有存储器可靠性技术瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 读取电路 嵌入 读取操作 读出 出错 存储器可靠性 设计复杂度 译码器电路 读取状态 技术瓶颈 阵列单元 装置提供 机电路 译码 外部 纠正 | ||
【主权项】：
1.一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，其特征在于，包括：ECC译码器电路和读取状态机电路；所述ECC译码器电路与页缓存电路相连接，用于在读取存储器操作时，将页缓存电路存储的一页数据传送至ECC译码器进行译码，并对出错的数据纠错；所述读取状态机电路与外围高压控制电路相连接，与存储器阵列单元电路相连接，与ECC译码器电路相连接，用于控制数据从存储器阵列单元读出至页缓存电路，并在存储器阵列单元字线提供读取电压的逻辑控制，以及经ECC译码器译码后将数据传送至IO接口电路的整体逻辑控制；所述ECC译码器电路包括：校正子式计算电路、错误位置计算电路、钱搜索电路、缓存FIFO电路以及错误纠正电路，校正子式电路与错误位置计算电路、钱搜索电路及错误纠正电路依次连接，所述缓存FIFO电路与错误纠正电路相连接，用于在MLC NAND Flash执行从阵列读取数据时，对读取数据进行译码纠错。
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