[实用新型]基于交叉结构的新型太赫兹吸收器

摘要

本实用新型公开了一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，它包括基底层、二氧化硅层、由交叉十字型结构波导组成的波导阵列层、信号输入端、信号输出端，基底层、二氧化硅层、由交叉十字型结构波导组成的波导阵列层、自下而上顺序排列、信号从信号输入端以特定入射角度入射到由交叉十字型结构波导组成的波导阵列层，依次经过二氧化硅层、基底层和信号输出端输出；通过模拟证明在0.140mm到0.194mm波长范围内，新型太赫兹吸收器对太赫兹波的平均吸收达到了98％以上，实现具有高吸收率的新型太赫兹吸收器。本实用新型具有结构简单紧凑，制造简单，尺寸小，响应快，操控方法灵活易实现等优点。

主权项

1.一种基于交叉结构的新型太赫兹吸收器，其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)、信号输入端(7)、信号输出端(8)，基底层(1)、二氧化硅层(2)、由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)、自下而上顺序排列、基底层(1)为绝缘硅层，基底层(1)的上层为二氧化硅层(2)，二氧化硅层(2)的上层铺有由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)、波导阵列层(3)由2行3列的交叉十字型结构波导(4)等间距排列组成，交叉十字型结构波导(4)由矩形波导(5)和矩形波导(6)中心重叠交叉构成，阵列层(3)上方设有信号输入端(7)，基底层(1)的下方设有信号输出端(8)，信号从信号输入端(7)以特定入射角度入射到由交叉十字型结构波导(4)组成的波导阵列层(3)，依次经过二氧化硅层(2)、基底层(1)和信号输出端(8)输出，实现具有高吸收率的新型太赫兹吸收器。