[实用新型]一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片及芯片有效
| 申请号： | 201820089758.0 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN207883719U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523500 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片及芯片，包括：外延垒晶衬底、外延垒晶层，外延垒晶层依次包括：缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓，在量子阱与n型氮化镓之间包括一层高缺陷密度层：缓冲层：在n型氮化镓与外延垒晶衬底之间生长氮化镓缓冲层；n型氮化镓：生长于氮化镓高缺陷密度层之上，量子阱之下；高缺陷密度层：在量子阱与n型氮化镓之间，为含C缺陷层；量子阱：为发光层，在高缺陷密度层与p型氮化镓之间；p型氮化镓:生长于氮化镓量子阱之上。本实用新型的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 密度层 晶片 本实用新型 氮化镓系 芯片 氮化镓 高光效 缓冲层 衬底 生长 氮化镓缓冲层 发光层 缺陷层 光效 制备 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片，其特征在于，包括：外延垒晶衬底、外延垒晶层，外延垒晶层依次包括：缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓，在量子阱与n型氮化镓之间包括一层高缺陷密度层：缓冲层：在n型氮化镓与外延垒晶衬底之间生长氮化镓缓冲层；n型氮化镓：生长于氮化镓高缺陷密度层之上，量子阱之下；高缺陷密度层：在量子阱与n型氮化镓之间；量子阱：为发光层，在高缺陷密度层与p型氮化镓之间；p型氮化镓: 生长于氮化镓量子阱之上。
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