[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201820090382.5 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN207489906U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 陈功;夏章艮;黄禹杰;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中,该发光二极管包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;保护层,形成于所述发光外延层,设有一系列开口作为导电通道;第一电极,包括形成于所述保护层之上,并与所述第一半导体层形成电性连接;第二电极,形成于所述保护层之上,并与所述第二半导体层形成电性连接;所述第一电极具有焊盘部和扩展部,其中所述扩展部的上表面呈高、低起状。 | ||
搜索关键词: | 半导体层 发光二极管 保护层 发光外延层 第一电极 电性连接 扩展部 本实用新型 导电通道 第二电极 发光层 焊盘部 上表面 开口 | ||
【主权项】:
发光二极管,包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;保护层,形成于所述发光外延层之上,设有一系列开口作为导电通道;第一电极,包括形成于所述保护层之上,并与所述第一半导体层形成电性连接;第二电极,形成于所述保护层之上,并与所述第二半导体层形成电性连接;其特征在于:所述第一电极具有焊盘部和扩展部,其中所述扩展部的上表面呈高、低起伏状。
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