[实用新型]一种基于磁电阻的双稳态磁开关及系统有效
| 申请号： | 201820108076.X | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN208143202U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 祁彬;沈卫峰;李东风;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/90 | 分类号： | H03K17/90 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于磁电阻的双稳态磁开关及系统。包括磁电阻及处理电路，利用磁电阻元件的储存特性，将磁开关的自身状态记录。双稳态磁开关输出状态在外界磁场强度达到或高于临界值时发生改变，并保持该状态直到逆向磁场强度达到或高于临界值。该双稳态磁开关输出状态完全由外界磁场驱动，无需额外MCU或储存器件即可保持断电前或撤去磁场后的自身状态，在外界电源切断后依然具备双稳态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁开关 双稳态 磁电阻 输出状态 外界磁场 自身状态 本实用新型 磁电阻元件 双稳态特性 储存器件 储存特性 处理电路 临界值时 逆向磁场 外界电源 磁场 断电 驱动 记录 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁电阻的双稳态磁开关，其特征在于，包括磁电阻及处理电路，当外界磁场沿磁电阻敏感方向分量等于或高于临界磁场强度时，磁电阻处于高阻或低阻状态；当外界磁场移除时，磁电阻保持这一状态；直到外界磁场沿反向于磁电阻敏感方向分量等于或高于临界磁场强度时，磁电阻阻值状态反转为低阻或高阻状态。
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