[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 201820116472.7 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN207993813U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 郑有善 | 申请（专利权）人： | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种基板处理装置，其用于在依次进行多个基板处理工艺的腔室中在不混合的状态下依次供给利用于各个基板处理工艺的工艺流体并进行各个工艺。为此，本实用新型的基板处理装置包括：腔室，在腔室依次进行多个基板处理工艺；感知部，其测定腔室内部的流体的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 腔室 本实用新型 处理工艺 多个基板 工艺流体 基板处理 测定腔 室内部 流体 感知 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其包括：腔室，在腔室依次进行多个基板处理工艺；感知部，其测定所述腔室内部的流体的性质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
