[实用新型]一种NMOS管保护电路及其芯片

摘要

本实用新型提供一种NMOS管保护电路，包括：NMOS管NM0、NMOS管NM3、第一ESD保护模块和第二ESD保护模块，所述NMOS管NM0的漏极与所述NMOS管NM3的漏极相连接，所述NMOS管NM0的源极和栅极分别与所述第一ESD保护模块相连接，所述NMOS管NM3的源极和栅极分别与所述第二ESD保护模块相连接。本实用新型通过对NMOS管NM0增加了第一ESD保护模块，对NMOS管NM3增加了第二ESD保护模块，进而加强了NMOS管NM0和NMOS管NM3的栅极的ESD保护性能，加强包括该NMOS管保护电路的NMOS管芯片的ESD保护性能，满足生产的需求，成本低且性能优。

主权项

1.一种NMOS管保护电路，其特征在于，包括：NMOS管NM0、NMOS管NM3、第一ESD保护模块和第二ESD保护模块，所述NMOS管NM0的漏极与所述NMOS管NM3的漏极相连接，所述NMOS管NM0的源极和栅极分别与所述第一ESD保护模块相连接，所述NMOS管NM3的源极和栅极分别与所述第二ESD保护模块相连接；所述第一ESD保护模块包括NMOS管NM1、NMOS管NM2和NMOS管NM6，所述NMOS管NM1的源极和所述NMOS管NM2的源极相连接，所述NMOS管NM1的漏极与所述NMOS管NM0的栅极相连接，所述NMOS管NM2的漏极与所述NMOS管NM0的源极相连接，所述NMOS管NM1的栅极和所述NMOS管NM2的栅极连接至所述NMOS管NM6的漏极，所述NMOS管NM6的栅极和源极均连接至晶圆衬底；所述NMOS管NM1的源极、所述NMOS管NM2的源极、所述NMOS管NM1的栅极、所述NMOS管NM2的栅极以及所述NMOS管NM6的漏极均连接在一起；所述第二ESD保护模块包括NMOS管NM4、NMOS管NM5和NMOS管NM7，所述NMOS管NM4的源极和所述NMOS管NM5的源极相连接，所述NMOS管NM4的漏极与所述NMOS管NM3的栅极相连接，所述NMOS管NM5的漏极与所述NMOS管NM3的源极相连接，所述NMOS管NM4的栅极和所述NMOS管NM5的栅极连接至所述NMOS管NM7的漏极，所述NMOS管NM7的栅极和源极均连接至晶圆衬底；所述NMOS管NM4的源极、所述NMOS管NM5的源极、所述NMOS管NM4的栅极、所述NMOS管NM5的栅极以及所述NMOS管NM7的漏极均连接在一起。