[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 201820127011.X | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN207993814U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 姜炳州;金东旻 | 申请（专利权）人： | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种基板处理装置，其对完成基板处理工艺后向腔室外部排出的流体的压力进行调节，从而进行稳定的流体排出，并且保持腔室内部的压力，从而可以防止由相变导致的腔室内部的污染。用于实现所述目的的本实用新型的基板处理装置包括：流体排出线，其连接于收容并处理基板的腔室，并排出所述腔室内部的流体；压力调整部，其设置于所述流体排出线，对所述腔室内部的压力进行阶段性调节。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 腔室内部 基板处理装置 本实用新型 排出 出线 压力调整部 处理工艺 处理基板 腔室外部 完成基板 后向 腔室 收容 污染 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其包括：流体排出线，其连接于收容并处理基板的腔室，并排出所述腔室内部的流体；压力调整部，其设置于所述流体排出线，对所述腔室内部的压力进行阶段性减压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
