[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 201820134714.5 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN207834261U | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 姜炳州;金大珉;郑有善 | 申请（专利权）人： | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种基板处理装置，其可以快速去除残留在基板的药液从而提高基板的干燥效率。根据用于实现所述目的的本实用新型的一个实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，其利用超临界流体对涂布有药液的基板进行干燥；控制部，其以使得供给至所述工艺腔室的超临界流体的密度成为高于所述药液的密度的状态的形式进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 基板 本实用新型 超临界流体 工艺腔室 干燥效率 快速去除 残留 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其包括：工艺腔室，其利用超临界流体对涂布有药液的基板进行干燥；控制部，其以使得供给至所述工艺腔室的超临界流体的密度成为高于所述药液的密度的状态的形式进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
