[实用新型]大功率晶体管功率老化台温控结构有效
| 申请号： | 201820142407.1 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN208284458U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李泽新;尹楠 | 申请（专利权）人： | 西安西测电子技术服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710023 陕西省西安市莲湖区丰禾*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及老化台温控机械领域，尤其涉及大功率晶体管功率老化台温控结构。包含老化台壳体，老化台壳体上包含出风口，其特征在于，风口还包含出水部分，出水部分包含出水圈，出水圈围绕出风口布置，出水圈内部包含一圈的棉花条，出水圈上安装着水瓶，出水圈内壁包含一圈的渗水孔，水瓶内部的水通过出水圈渗入棉花条中，进一步从渗水孔中渗出，出风口的风能够对渗出的水进行蒸发吸热。原来技术仅仅通过气流冷却，冷却效率有限，尤其是产热比较多的时候，本专利采用蒸发吸热的方式，由于出风口的风扇朝外吹的过程中，会带水走，进一步能吸收空气中的热量，能让气流带走更多的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 出水圈 老化台 出风口 大功率晶体管 温控结构 蒸发吸热 渗水孔 渗出 出水 壳体 水瓶 本实用新型 机械领域 冷却效率 气流冷却 棉花 风口 风扇 产热 朝外 内壁 温控 渗入 吸收 | ||
【主权项】：
1.大功率晶体管功率老化台温控结构，包含老化台壳体，老化台壳体上包含出风口，其特征在于，风口还包含出水部分，出水部分包含出水圈（4），出水圈围绕出风口布置，出水圈内部包含一圈的棉花条，出水圈上安装着水瓶，出水圈内壁包含一圈的渗水孔（7），水瓶内部的水通过出水圈渗入棉花条中，进一步从渗水孔中渗出，出风口的风能够对渗出的水进行蒸发吸热。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安西测电子技术服务有限公司，未经西安西测电子技术服务有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820142407.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
