[实用新型]一种单晶掺镓双面太阳电池有效
| 申请号： | 201820146408.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN208225886U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李华;孟夏杰;靳玉鹏;童洪波 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张弘 |
| 地址： | 225314 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶掺镓双面太阳电池，包括：掺杂有镓元素的单晶硅半导体基底，以及在其上的前表面发射极和背面局部背电场，置于发射极表面的正面减反射膜/钝化膜和置于基底背表面的背面钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，置于背面钝化膜表面的导电材料组成的背面电极。其制备方法，包括：在掺镓的硅片上完成表面织构化，发射极制备，绝缘处理，正表面钝化减反射膜及背表面钝化膜制备，背面钝化膜局域开膜以及金属化过程。 | ||
| 搜索关键词： | 背面钝化膜 减反射膜 制备 双面太阳电池 导电材料 钝化膜 发射极 单晶 单晶硅半导体 本实用新型 表面织构化 钝化膜表面 发射极表面 基底背表面 金属化过程 背面电极 绝缘处理 正面电极 背表面 背电场 前表面 正表面 镓元素 硅片 钝化 基底 背面 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种单晶掺镓双面太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极(6)、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、单晶掺镓硅基底(1)、背面减反射膜/钝化膜(4)和背面电极(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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