[实用新型]LED矩阵显示阵列有效
| 申请号： | 201820156466.4 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN207781598U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 沈学如 | 申请（专利权）人： | 澳洋集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED矩阵显示阵列，该LED矩阵显示阵列包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括一独立的P电极，所有所述发光单元共用同一N电极，该N电极为网格状，围成有多个环形窗口，每个P电极分别对应于一个所述环形窗口中，每个发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO2钝化层，所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述N电极电性连接于所述N型GaN层，所述P电极电性连接于所述P型GaN层。本实用新型通过将多个LED发光单元集成在同一芯片上，并将电极进行连接，使得其具有显示的功能，P电极和N电极不交叉，制作方法简单，出光率高，分辨率高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光单元 衬底 显示阵列 电性连接 外延层 本实用新型 量子阱层 阵列分布 电极 不交叉 出光率 透明的 网格状 分辨率 芯片 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种LED矩阵显示阵列，其特征在于，包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括一独立的P电极，所有所述发光单元共用同一N电极，该N电极为网格状，围成有多个环形窗口，每个所述P电极分别对应于一个所述环形窗口中，每个所述发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO2钝化层，所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述N电极电性连接于所述N型GaN层，所述P电极电性连接于所述P型GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
