[实用新型]硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构有效
| 申请号： | 201820186933.8 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN208060764U | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘露露;阮子良;张浩;温雪沁;朱运涛;刘柳;陈伟 | 申请（专利权）人： | 苏州易缆微光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;H01S3/02 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 滕诣迪 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构，在绝缘体上硅芯片上制作硅波导结构以及具有倾斜光栅耦合器；再在芯片上沉积一层二氧化硅绝缘层，之后在绝缘层上依次制作金属导线图形和金锡焊点图形。金属导线图形和金锡焊点图形与光栅耦合器的相对位置需要精确控制。最后采用倒装焊接的方式，将垂直腔面发射激光器与硅基光栅耦合器进行对准封装。该结构可以有效的实现激光器与硅基光波导的耦合，实现硅基光源。倾斜光栅耦合器可以有效降低传统光栅耦合器的二阶反射，提高耦合效率，且具有较大的工作波长带宽。该结构大大降低了硅基光源的制作封装难度，可以广泛应用于基于硅基光子集成芯片的光模块中。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直腔面发射激光器 硅基光波导 耦合器 芯片 封装结构 硅基光源 金属导线 倾斜光栅 锡焊点 封装 制作 绝缘层 二氧化硅绝缘层 硅基光栅耦合器 绝缘体上硅芯片 工作波长带宽 硅基光子集成 本实用新型 光栅耦合器 硅波导结构 传统光栅 倒装焊接 二阶反射 耦合效率 激光器 耦合 光模块 沉积 对准 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光波导芯片，其特征在于：包括硅衬底、埋氧层，顶硅层，二氧化硅绝缘层、金属导线、焊点、以及垂直腔面发射激光器;从下至上依次排布衬底、埋氧层，顶硅层，二氧化硅绝缘层；所述顶硅层上有硅波导、基于倾斜光栅耦合器，所述倾斜光栅耦合器附近的埋氧层被挖空，因此光栅耦合器的一端与所述硅衬底接触，形成倾斜结构；所述二氧化硅绝缘层之上有所述金属导线，所述金属导线之上有所述焊点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州易缆微光电技术有限公司，未经苏州易缆微光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820186933.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双芯光子晶体光纤
- 下一篇：硅基光波导模斑转换器
