[实用新型]一种功率晶体管框架结构有效
申请号: | 201820190035.X | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN208284470U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 黄峰荣;杨斌;何秋生 | 申请(专利权)人: | 佛山市合芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/367 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 顾惠忠 |
地址: | 528300 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型揭示一种功率晶体管框架结构,其包括安装底板,其用于安装功率晶体管芯片,安装底板具有凹槽;散热板,其连接安装底板;以及引脚组件,其通过折弯部连接安装底板。本实用新型的功率晶体管框架结构解决了体积较大的功率晶体管不易安装在功率要求高且体积较小的电路上的问题;另外,增加散热板解决了功率较大的功率晶体管散热效果差的问题,可广泛应用于快速充电技术领域中。 | ||
搜索关键词: | 功率晶体管 框架结构 底板 本实用新型 安装底板 连接安装 散热板 功率晶体管芯片 快速充电技术 功率要求 散热效果 引脚组件 折弯部 电路 应用 | ||
【主权项】:
1.一种功率晶体管框架结构,其特征在于,包括:安装底板(1),其用于安装功率晶体管芯片,所述安装底板(1)具有凹槽(11);散热板(2),其连接所述安装底板(1);以及引脚组件(3),其通过折弯部(4)连接所述安装底板(1)。
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