[实用新型]具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 201820198505.7 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN207896944U | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵俊武;林瑞钦 | 申请（专利权）人： | 武汉衍熙微器件有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。本实用新型通过在压电层设置非c轴优选压电层，从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振，进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。 | ||
| 搜索关键词： | 压电层 优选 薄膜体声波谐振器 本实用新型 第一电极 基底 第二电极 反射界面 寄生谐振 依次设置 侧向波 谐振器 共振 寄生 减小 模态 源区 包围 | ||
【主权项】：
1.一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，其特征在于：所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。
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