[实用新型]一种柔性基片衬底的异质结构器件有效
申请号: | 201820234722.7 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN208189597U | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 李双美;张东;何乔;李关民;王敏 | 申请(专利权)人: | 沈阳工程学院 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/45;H01L29/24;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06 |
代理公司: | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人: | 吕敏 |
地址: | 110136 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种柔性基片衬底的异质结构器件,属于电子器件技术领域。该器件从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。本发明采用聚酰亚胺(PI)材料作为衬底基片,采用Ga2O3作为缓冲层,采用AZO作为器件的导电电极,蒸镀TiN材料作为抗腐蚀保护层,可以缓解聚酰亚胺(PI)与VO2材料晶格失配大的难题,可以制备出高质量的VO2材料,导电性能大幅度提高、电阻率降低,TiN薄膜与AZO透明导电薄膜的融合度高,有效解决了器件的腐蚀问题,进一步提高了器件的使用寿命。该器件功率大,可实现规模生产。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 抗腐蚀保护层 异质结构器件 导电薄膜层 柔性基片 材料层 衬底 透明导电薄膜 柔性衬底层 材料晶格 衬底基片 导电电极 导电性能 电子器件 规模生产 器件功率 使用寿命 有效解决 电阻率 缓冲层 融合度 失配 蒸镀 制备 薄膜 腐蚀 缓解 | ||
【主权项】:
1.一种柔性基片衬底的异质结构器件,其特征在于:从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工程学院,未经沈阳工程学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820234722.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高电子迁移率二极管和半导体器件
- 下一篇:一种整流二极管芯片
- 同类专利
- 专利分类