[实用新型]一种导模法生长氧化镓单晶的复合热场结构

摘要

本实用新型提供了一种导模法生长氧化镓单晶的复合热场结构，包括高温熔融区和中温退火区，中温退火区置于高温熔融区之上。中温退火区采用氧化锆保温材料制成，外部缠绕热铬铝高温电阻加热丝，对外发热。中温退火区与高温融入区通过上保温盖将隔开。下保温层的中心开有通孔，用于插入上下高度可调节的坩埚支撑杆。该复合热场结构还设置有观察窗，并配置视频成像系统。本实用新型在β‑Ga₂O₃氧化稼单晶生长的高温熔融区轴向方向上增加中温退火区，在充分利用晶体生长期间形成的热场能量的同时，使中温退火区域中形成一个温度梯度相对小的退火空间，对刚刚生长出来的β‑Ga₂O₃氧化稼单晶进行原位退火，起到降低晶体内部热应力的效果。

主权项

1.一种导模法生长氧化镓单晶的复合热场结构，其特征在于，包括高温熔融区和中温退火区，中温退火区置于高温熔融区之上；所述的中温退火区采用氧化锆保温材料制成，外部缠绕高温电阻加热丝，且中温退火区的中心沿轴向方向开有长方形通孔；所述的高温熔融区包括由上保温盖、侧保温结构和下保温层组合成的筒状的保温结构；所述的上保温盖将中温退火区与高温熔融区隔开，并且上保温盖的中心开有长方形通孔，与中温退火区的中心通孔相对应，为籽晶杆入口；所述的下保温层的中心开有一个通孔，用于插入上下高度可调节的坩埚支撑杆，所述的坩埚支撑杆的上端固定铱坩埚托。