[实用新型]一种PVT法单晶生长炉有效
| 申请号： | 201820271266.3 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN207944168U | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 周振翔;赵欣;何敬晖;李辉;黄存新;彭珍珍;陈建荣 | 申请（专利权）人： | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100018 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体制造技术领域，尤其涉及PVT法单晶生长炉，包括炉体和安瓿，炉体包括保温套和加热装置，安瓿伸入保温套的内侧，保温套内侧分为上温区和下温区，加热装置包括分别对应上温区和下温区设置的上加热件和下加热件，下加热件为电磁感应加热件。本实用新型分为炉体和安瓿，炉体包括外围的高铝预制保温套和控制晶体生长环境温度的加热装置，安瓿上预先放置多晶料源并将安瓿置入保温套的内侧，加热装置的下加热件为电磁感应加热件，利用磁感应效应为下温区的晶体生长提供热量，与上加热件配合调控晶体生长的纵向温度梯度，下加热件还可精确控制位于下温区中衬底处的横向温度梯度，稳定晶体生长速率，减少因温度控制不当造成的晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 温区 保温套 安瓿 加热装置 下加热件 炉体 电磁感应加热 本实用新型 单晶生长炉 晶体生长 上加热件 横向温度梯度 纵向温度梯度 磁感应效应 晶体缺陷 控制晶体 生长环境 稳定晶体 多晶料 高铝 伸入 置入 预制 外围 生长 调控 配合 制造 | ||
【主权项】：
1.一种PVT法单晶生长炉，其特征在于：包括炉体和安瓿，所述炉体包括保温套和加热装置，所述安瓿伸入所述保温套的内侧，所述保温套内侧分为上温区和下温区，所述加热装置包括分别对应所述上温区和所述下温区设置的上加热件和下加热件，所述下加热件为电磁感应加热件。
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