[实用新型]一种真空槽有效
| 申请号： | 201820301502.1 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN207938579U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张运;孙者利 | 申请（专利权）人： | 济南卓微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250200 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种真空槽,包括真空槽体，其特征在于：在所述真空槽体两侧设置真空的缓冲室，在所述缓冲室的两端设置法兰连接真空泵，所述缓冲室是底部密封上端敞口的容器，所述缓冲室的上端口与所述真空槽体的上端口平行。本实用新型的有益效果是：由于在真空槽的两侧设置有缓冲室，气流不直接施加在真空槽体，增加缓冲作用，并且在真空槽体和缓冲室内壁增加了耐磨层，确保了真空槽体不受损坏，大大的降低了更换槽体的周期，节约投入，提高利用率，增加产能，提高质量，且结构简单、设计合理。 | ||
| 搜索关键词： | 真空槽体 缓冲室 真空槽 本实用新型 两侧设置 上端口 底部密封 法兰连接 缓冲作用 两端设置 上端敞口 更换槽 耐磨层 室内壁 真空泵 产能 缓冲 平行 施加 节约 | ||
【主权项】：
1.一种真空槽,包括真空槽体，其特征在于：在所述真空槽体两侧设置真空的缓冲室，在所述缓冲室的两端设置法兰连接真空泵，所述缓冲室是底部密封上端敞口的容器，所述缓冲室的上端口与所述真空槽体的上端口平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
