[实用新型]一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板有效

专利信息
申请号: 201820302628.0 申请日: 2018-03-05
公开(公告)号: CN208008938U 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 陈闯 申请(专利权)人: 陈闯
主分类号: C30B15/34 分类号: C30B15/34;C30B29/16
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 祗志洁
地址: 100094 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板,属于氧化稼单晶生长技术领域。本实用新型的半封闭式导模板,在导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽,在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽;顶端V型槽和侧面V型槽均为钝角开口。同时,在导模板主体的左右两端分别用一块密封板将第一侧板和第二侧板铆接,并将主供料缝左右两侧密封。本实用新型增加了导模板边缘在单位时间内的供料量,提高了供料速度,并可有效抑制氧化镓的挥发现象,提高了晶体生长拉速和质量,降低了成本,便于工业大尺寸大批量生产。
搜索关键词: 导模板 本实用新型 半封闭式 氧化镓 供料 导模法 侧板 单晶 单晶生长 晶体生长 向下凹陷 有效抑制 左右两侧 侧面 出料端 密封板 氧化稼 生长 挥发 钝角 拉速 铆接 密封 开口 生产
【主权项】:
1.一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板,包括第一侧板和第二侧板,两侧板镜面对称,两侧板中间的缝隙构成主供料缝;导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽;其特征在于,所述的顶端V型槽为钝角开口;在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽;所述的侧面V型槽从侧板的上端贯通到下端,为钝角开口;在导模板主体的左右两端分别用一块密封板将第一侧板和第二侧板铆接,并将主供料缝左右两侧密封。
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