[实用新型]一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构有效

专利信息
申请号: 201820330976.9 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN210403742U 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0687;H01L31/054
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:前者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成,后者由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成;背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域:前者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II;后者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下,获得了更高开路电压和短路电流,最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
搜索关键词: 一种 局域 发射极 同质 结晶体 双面 太阳电池 结构
【主权项】:
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