[实用新型]一种均匀场流的蚀刻装置有效

专利信息
申请号: 201820354115.4 申请日: 2018-03-15
公开(公告)号: CN207883664U 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 许孟凯;陈胜男;黄建顺;王嘉伟;林张鸿;林豪;林伟铭 申请(专利权)人: 福建省福联集成电路有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 林祥翔;徐剑兵
地址: 351117 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开一种均匀场流的蚀刻装置,包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元,所述入射单元设置在反应槽的底部,入射单元包括入射管和反射罩,所述反射罩上表面为设置通孔的平面,反射罩通过通孔与反应槽连通,下表面为抛物面,所述入射管置于所述抛物面的抛物线所在的焦点处,所述入射管上设置有方向指向抛物面的入射孔。上述技术方案通过反射罩的抛物面,使得入射后的溶液反射后形成平行竖直向上的均匀的场流,同时由于反射罩上表面具有通孔,可以遮挡非竖直向上的场流,使得进入到反应槽内部的场流都是竖直向上,最终实现均匀场流,进而提高化学蚀刻的品质。
搜索关键词: 反射罩 抛物面 入射 入射单元 竖直向上 反应槽 均匀场 场流 通孔 蚀刻装置 上表面 抛物线 本实用新型 反应槽内部 方向指向 化学蚀刻 洁净单元 焦点处 入射孔 下表面 溢流槽 反射 遮挡 连通 平行
【主权项】:
1.一种均匀场流的蚀刻装置,其特征在于:包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元,所述入射单元设置在反应槽的底部,入射单元包括入射管和反射罩,所述反射罩上表面为设置通孔的平面,反射罩通过通孔与反应槽连通,下表面为抛物面,所述入射管置于所述抛物面的抛物线所在的焦点处,所述入射管上设置有方向指向抛物面的入射孔,所述溢流槽设在反应槽外部的四周,循环洁净单元进液口与溢流槽底部连通,循环洁净单元出液口与入射管连通,循环洁净单元用于抽取并过滤溢流槽的液体。
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