[实用新型]芯片焊接密封结构有效

专利信息
申请号: 201820376757.4 申请日: 2018-03-19
公开(公告)号: CN208093549U 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 郝晓培;武乐强 申请(专利权)人: 西安易朴通讯技术有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 戴莹瑛
地址: 710065 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及电子设置,公开了一种芯片焊接密封结构。本实用新型中芯片焊接密封结构包含:第一金属焊接层,用于将芯片焊设在电性连接载体上,且芯片在被焊设在电性连接载体上后,与电性连接载体电性导通;第二金属焊接层,环绕于芯片的四周,并分别与芯片和电性连接载体焊接固定,用于对芯片和电性连接载体之间所产生的缝隙进行密封;第一金属焊接层与第二金属焊接层为相同材质,且相互隔开互不导通。与现有技术相比,使得芯片封装过程简化,且耗时短提高封装效率。
搜索关键词: 电性连接 金属焊接层 芯片 本实用新型 密封结构 芯片焊接 焊接密封结构 芯片封装过程 电性导通 电子设置 封装效率 焊接固定 中芯片 导通 隔开 密封 耗时 环绕
【主权项】:
1.一种芯片焊接密封结构,其特征在于:包含:第一金属焊接层,用于将芯片焊设在电性连接载体上,且所述芯片在被焊设在所述电性连接载体上后,与所述电性连接载体电性导通;第二金属焊接层,环绕于所述芯片的四周,并分别与所述芯片和所述电性连接载体焊接固定,用于对所述芯片和所述电性连接载体之间所产生的缝隙进行密封;其中,所述第一金属焊接层与所述第二金属焊接层为相同材质,且相互隔开互不导通。
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