[实用新型]一种AlGaP基紫外探测器有效
| 申请号： | 201820381172.1 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN208014712U | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李国强;郑昱林;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种AlGaP基紫外探测器，包括生长在衬底层上的AlP缓冲层，生长在AlP缓冲层上的非掺杂GaP层，非掺杂GaP层上的Si掺杂的n‑AlGaP层，所述Si掺杂的n‑AlGaP层的一侧表面覆盖有第一Au层，另一侧覆盖有i‑AlGaP层，所述i‑AlGaP层上覆盖有第二Au层。本实用新型的紫外探测器可实现对紫外光的灵敏探测，可应用于紫外检测等领域，经济效益可观。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外探测器 本实用新型 掺杂的 非掺杂 缓冲层 紫外光 表面覆盖 灵敏探测 紫外检测 生长 衬底层 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaP基紫外探测器，其特征在于，包括衬底层（1）、AlP缓冲层（2）、非掺杂GaP层（3）、Si掺杂的n‑AlGaP层（4）、i‑AlGaP层（5）、第一Au层（6）和第二Au层（7），所述衬底层（1）上覆盖着AlP缓冲层（2），AlP缓冲层（2）上覆盖着非掺杂GaP层（3），非掺杂GaP层（3）上覆盖着Si掺杂的n‑AlGaP层（4）；所述Si掺杂的n‑AlGaP层（4）上表面的一侧覆盖有i‑AlGaP层（5），另一侧覆盖有第一Au层（6）；所述i‑AlGaP层（5）上覆盖有第二Au层（7）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
