[实用新型]一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置有效

专利信息
申请号: 201820385103.8 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN207883319U 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 宋元应 申请(专利权)人: 深圳市正合智能控制技术有限公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 北京久维律师事务所 11582 代理人: 邢江峰
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置,包括电源E、RST芯片U1、开关管T1、开关管T2、RST芯片U2、MCU、flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,本实用新型的有益效果是:1、数据存储和逻辑芯片U6的供电电源受控,不直接使用系统工作电源,避免了电源上下电时的渐变过程,从而避免了系统在开关机时出现异常的偶发事件。2、利用专用复位芯片或电压监控芯片有输出作为控制信号,可以保证受控电源与系统的同步,不会发生数据丢失和异常写入的错误。3、受控电源电路简单,容易实现和集成。4、将传统的工作电源改成受控源,提高系统可靠性。
搜索关键词: 上下电 本实用新型 保护芯片 逻辑芯片 写入装置 开关管 电源 芯片 电压监控芯片 受控电源电路 系统工作电源 专用复位芯片 系统可靠性 工作电源 供电电源 开关机时 控制信号 偶发事件 受控电源 数据存储 数据丢失 传统的 受控源 渐变 受控 写入 输出 保证
【主权项】:
1.一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置,包括电源E、RST芯片U1、开关管T1、开关管T2、RST芯片U2、MCU、flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,其特征在于,所述电源E分别给RST芯片U1、开关管T1的漏极、开关管T2的漏极、RST芯片U2和MCU供电,MCU分别连接flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,RST芯片U2还通过电阻连接开关管T2的栅极,开关管T2的源极连接flash存储器U4。
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