[实用新型]半导体储存器的晶体管结构

摘要

本实用新型提出一种半导体储存器的晶体管结构，该结构包括：有源区，具有接触窗；位线接触垫，形成于接触窗上；位线，与有源区相交错部位连接位线接触垫，位线接触垫形成在位线遮盖有源区的区域下而不完全填满接触窗。其中，有源区形成有离子再注入区域，其位于接触窗中且未覆盖位线接触垫及位线的区域，有源区两侧的源漏极区在靠近字线的侧边形成离子再注入扩散区域。通过本实用新型的晶体管结构的离子再注入区域和离子再注入扩散区域，在不影响位线接点的电流路径及阻值的前提下，降低了有源区原始掺杂的浓度，减缓了电场强度并改善了漏电。

主权项

1.一种半导体储存器的晶体管结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有源区；字线，以埋入式设置在所述衬底中，并与所述有源区相交；所述有源区具有接触窗，位于相邻两个所述字线之间；位线接触垫，沉积形成于所述接触窗上；以及位线，形成于所述衬底上，所述位线与所述有源区相交错部位连接所述位线接触垫，所述位线接触垫形成在所述位线遮盖所述有源区的区域下而不完全填满所述接触窗；其中，所述有源区还具有离子再注入区域，位于所述接触窗中且未覆盖所述位线接触垫及所述位线的区域，以减缓所述接触窗在所述位线的交迭区域外的电场强度。