[实用新型]单片半导体器件和半导体器件有效
| 申请号： | 201820399757.6 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208189591U | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·W·霍尔;G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及单片半导体器件和半导体器件。本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。该单片半导体器件包括：衬底，所述衬底包括部分地延伸到所述衬底的第一表面中的开口；形成在所述开口内的垂直功率晶体管，其中所述衬底的第二表面作为所述垂直功率晶体管的漏极端子操作；以及第一互连结构，耦接到所述垂直功率晶体管的所述漏极端子以用于感测所述垂直功率晶体管的漏极电压。通过本实用新型，可以获得改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 单片半导体器件 垂直功率晶体管 半导体器件 衬底 本实用新型 漏极端子 改进 开口 第二表面 第一表面 互连结构 漏极电压 感测 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种单片半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括部分地延伸到所述衬底的第一表面中的开口；形成在所述开口内的垂直功率晶体管，其中所述衬底的第二表面作为所述垂直功率晶体管的漏极端子操作；以及第一互连结构，耦接到所述垂直功率晶体管的所述漏极端子以用于感测所述垂直功率晶体管的漏极电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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