[实用新型]一种晶圆温度检测系统有效
申请号: | 201820422195.2 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN208315508U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 柳建军 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01K11/32 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶圆温度检测系统,干法刻蚀过程中检测晶圆温度,属于半导体制造技术领域,包括:光谱接收模块,接收反应腔内反应生成物各元素的发射光谱;光谱收集模块,处理接收的发射光谱以从发射光谱中收集特定元素的发射光谱作为目标发射光谱;光电转换模块,用于通过光电转换将目标发射光谱处理成相应的目标光谱曲线;处理模块,用于根据干法刻蚀设备的刻蚀工序控制光谱收集模块的开关,以及用于处理目标光谱曲线计算出晶圆温度。上述技术方案的有益效果是:可以侦测干法刻蚀过程中晶圆的实际温度,为分析干法刻蚀过程中晶圆的应力变化及线宽控制提供可能性。 | ||
搜索关键词: | 发射光谱 晶圆 干法刻蚀过程 温度检测系统 光谱收集 种晶 半导体制造技术 干法刻蚀设备 光电转换模块 目标光谱曲线 本实用新型 反应生成物 处理模块 处理目标 光电转换 光谱接收 光谱曲线 刻蚀工序 线宽控制 应力变化 反应腔 侦测 检测 分析 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆温度检测系统,适用于在干法刻蚀过程中检测晶圆温度,干法刻蚀在一干法刻蚀设备的反应腔内进行,所述反应腔内设置有射频发射器,其特征在于,晶圆温度检测系统包括:光谱接收模块,用于接收所述反应腔内反应生成物各元素的发射光谱;光谱收集模块,连接所述光谱接收模块,用于处理接收的所述发射光谱以从所述发射光谱中收集特定元素的所述发射光谱作为目标发射光谱;光电转换模块,连接所述光谱收集模块,用于通过光电转换将所述目标发射光谱处理成相应的目标光谱曲线;处理模块,连接所述光电转换模块,用于根据所述干法刻蚀设备的刻蚀工序控制所述光谱收集模块的开关,以及用于处理所述目标光谱曲线计算出晶圆温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造