[实用新型]红外探测像素结构以及红外探测器有效
申请号: | 201820424634.3 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN207947288U | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 史永明;王纯;张超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024;H01L27/146;H01L31/113 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供一种红外探测像素结构以及红外探测器,涉及红外探测技术领域。该红外探测像素结构包括衬底基板和光电晶体管,以及位于所述衬底基板与所述光电晶体管之间的降噪单元;其中,所述光电晶体管被配置为响应红外波段的光信号以将所述光信号转换为电信号,所述降噪单元被配置为对所述红外探测像素结构进行降温。本公开可降低像素的环境热噪声,从而实现降噪功能。 | ||
搜索关键词: | 红外探测 像素结构 光电晶体管 红外探测器 衬底基板 降噪单元 红外探测技术 光信号转换 红外波段 降噪功能 热噪声 像素 配置 响应 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测像素结构,其特征在于,包括衬底基板和光电晶体管,以及位于所述衬底基板与所述光电晶体管之间的降噪单元;其中,所述光电晶体管被配置为响应红外波段的光信号以将所述光信号转换为电信号,所述降噪单元被配置为对所述红外探测像素结构进行降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的