[实用新型]一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器有效
申请号: | 201820429931.7 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN208284619U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 陈景源;林中晞;林琦;徐玉兰;苏辉;钟杏丽;朱振国;薛正群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q15/08;H01Q19/06;G01J1/42 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞;谢怡婷 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型属于太赫兹技术领域,具体涉及一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器。本实用新型通过将常规太赫兹天线结构的半导体衬底厚度从几百微米减小到几微米,以及把高介电常数的硅透镜替换成低介电常数的透镜,提高了金属天线的输入电阻,提高了匹配效率和方向性。所述太赫兹天线结构可以有效提高两到三倍的输出功率和探测灵敏度。当天线作为辐射源时,提高了输出功率;当天线作为探测器时,提高了探测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 天线结构 辐射源 探测器 本实用新型 探测灵敏度 输出功率 透镜 低介电常数 高介电常数 金属天线 匹配效率 输入电阻 硅透镜 衬底 减小 半导体 替换 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹天线结构,其包括金属天线、半导体衬底薄膜、低介电常数薄膜和透镜;其中,所述半导体衬底薄膜厚度为1~5微米;所述低介电常数薄膜和透镜的介电常数在2~3.5之间;所述透镜由半球形和圆柱形组成的子弹形,所述圆柱形和半球形的半径相等;所述圆柱形和半球形满足如下关系式:L=AR/n;其中,所述L为圆柱形的高;所述R为圆柱形和半球形的半径,取值在毫米量级到分米量级的范围内;所述A为系数,取值在0.8~1.2范围内;所述n为透镜的折射率。
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