[实用新型]二极管有效
| 申请号： | 201820435141.X | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN207967005U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 薛云峰;刘广海 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例涉及半导体器件领域，公开了一种二极管，包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构，所述钝化结构包括：第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层；所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区；所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层，所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区，所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区；所述银电极层形成在所述P接触区上并延伸至覆盖部分所述氮化硅层；所述聚酰亚胺层形成在所述氮化硅层上并延伸至覆盖部分所述银电极层。本实用新型所提供的二极管可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 氮化硅层 二氧化硅层 二极管 银电极层 本实用新型 聚酰亚胺层 延伸 钝化结构 覆盖 半导体器件领域 包围 | ||
【主权项】：
1.一种二极管，包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构，其特征在于，所述钝化结构包括：第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层；所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区；所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层，所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区，所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区；所述银电极层形成在所述P接触区上并延伸至覆盖部分所述氮化硅层；所述聚酰亚胺层形成在所述氮化硅层上并延伸至覆盖部分所述银电极层。
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