[实用新型]一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器

摘要

本实用新型涉及半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器。包括下述步骤：首先提供具有低铝组分AlGaN/GaN的异质结材料，采用光刻显影技术及湿法腐蚀在栅极区域沉积一层掩膜层，利用选择区域外延技术生长接入区的顶层高铝组分AlGaN而获得凹槽，在两端形成源极和漏极区域并覆盖金属形成源极和漏极沉积，最后在栅极区域沉积透明的p型氧化物作为栅极对作为光学窗口。此外，通过改变栅极材料的禁带宽度可以实现对不同波长的紫外光进行探测。本实用新型工艺简单，可以很好地解决传统氮化镓基紫外探测器在增益、暗电流、及栅极吸光之间的相互制约关系，并可以与电子器件工艺兼容。

主权项

1.一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于，其结构由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），低铝组分AlGaN势垒层（4），高铝组分的AlGaN势垒层（5），两端形成源极和漏极（6），p型透明栅极（7），介质掩膜层（8）。