[实用新型]SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置有效
| 申请号： | 201820443020.X | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN208028563U | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 伍文俊;蔡雨希 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H9/04;G01R19/165 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 燕肇琪 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET、驱动单元和外部控制器6个单元。无传感器，大大降低检测成本；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，使用灵活方便；通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，安全可靠，检测速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 漏源电压 检测 过流保护装置 过电流保护 变换器 逻辑处理单元 本实用新型 外部控制器 电压尖峰 可变电阻 脉冲封锁 驱动单元 无传感器 可改变 三极管 稳压管 误动作 灵活 | ||
【主权项】：
1.SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，包括：漏源电压检测单元(1)，所述漏源电压检测单元(1)依次连接逻辑处理单元(2)、脉冲封锁单元(3)和SiCMOSFET(4)的栅极，所述漏源电压检测单元(1)还同时与SiCMOSFET(4)的漏极和源极连接，所述漏源电压检测单元(1)还连接脉冲封锁单元(3)，所述脉冲封锁单元(3)还同时与驱动单元(5)两端和SiCMOSFET(4)的源极连接，所述逻辑处理单元(2)还连接有外部控制器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820443020.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高压交流断路器全电压关合装置
- 下一篇：带过电压保护功能的漏电保护器
