[实用新型]抗辐射功率场效应晶体管有效
| 申请号： | 201820445531.5 | 申请日： | 2018-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN207967004U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 贾国;刘广海;苏晓山;张熠鑫 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种抗辐射功率场效应晶体管。本实用新型中，该抗辐射功率场效应晶体管包括：具有沟道的基底以及设置在沟道上的栅极结构，栅极结构包括依次叠设在沟道上的氧化层、介质层、多晶硅栅极层、隔离层和电极层，隔离层包覆多晶硅栅极层、并将多晶硅栅极层与电极层隔离开，氧化层包括正对并覆盖沟道的中央区域以及自中央区域延伸至基底上的非沟道区域的边缘区域，中央区域的厚度大于边缘区域的厚度。本实用新型实施方式提供的抗辐射功率场效应晶体管，其抗辐射能力得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 抗辐射 功率场效应晶体管 沟道 多晶硅栅极层 本实用新型 中央区域 边缘区域 栅极结构 电极层 隔离层 氧化层 基底 半导体制造领域 沟道区域 介质层 包覆 正对 隔离 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐射功率场效应晶体管，包括：具有沟道的基底以及设置在所述沟道上的栅极结构，其特征在于，所述栅极结构包括依次叠设在所述沟道上的氧化层、介质层、多晶硅栅极层、隔离层和电极层，所述隔离层包覆所述多晶硅栅极层、并将所述多晶硅栅极层与所述电极层隔离开，所述氧化层包括正对并覆盖所述沟道的中央区域以及自所述中央区域延伸至所述基底上的非沟道区域的边缘区域，所述中央区域的厚度大于所述边缘区域的厚度。
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