[实用新型]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201820457553.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN207967002U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王修中;刘广海 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种IGBT器件。其包括：发射区金属层、P型集电区、N‑漂移区以及P+型体区；P型集电区、N‑漂移区以及P+型体区形成PNP三层硅结构；发射区金属层与P+型体区接触连接；其中，少子空穴电流直接通过P+型体区流入发射区金属层。本实用新型实施方式通过取消现有IGBT结构中的N+源区，避免P+型体区与N+源区形成PN结，从而可以消除IGBT闩锁效应，进而有利于提高IGBT的最大电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 体区 发射区 金属层 本实用新型 漂移区 源区 半导体技术领域 空穴电流 体区接触 最大电流 闩锁效应 硅结构 三层 少子 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：发射区金属层、P型集电区、N‑漂移区以及P+型体区；所述P型集电区、N‑漂移区以及所述P+型体区形成PNP三层硅结构；所述发射区金属层与所述P+型体区接触连接；其中，少子空穴电流直接通过所述P+型体区流入所述发射区金属层。
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