[实用新型]一种带沟槽的终端结构有效
| 申请号： | 201820487063.8 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN207967001U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属及位于所述集电极金属上方的第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层表面设有一个第二导电类型阱区及包围所述第二导电类型阱区的若干个第二导电类型场限环，其特征在于，在所述第二导电类型阱区内设置若干个互相平行的沟槽，在所述沟槽内设有位于中心区浮空的导电多晶硅及包裹所述导电多晶硅的栅氧层；本实用新型通过在阱区内增加沟槽结构来增大主结处的电势，减少场限环的数目，进而减少器件终端宽度，本实用新型在保证器件耐压能力的同时，减小了器件终端面积，进而减小了整个器件的面积，降低了器件制作成本，提高了性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 导电类型阱 第一导电类型 导电多晶硅 集电极金属 终端结构 场限环 减小 终端 半导体器件 外延层表面 导电类型 沟槽结构 互相平行 耐压能力 器件制作 集电极 外延层 栅氧层 中心区 电势 浮空 主结 包围 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属（1）及位于所述集电极金属（1）上方的第一导电类型外延层（4），在所述第一导电类型外延层（4）表面设有一个第二导电类型阱区（6）及包围所述第二导电类型阱区（6）的若干个第二导电类型场限环（5），其特征在于，在所述第二导电类型阱区（6）内设置若干个互相平行的沟槽（7），在所述沟槽（7）内设有位于中心区浮空的导电多晶硅（8）及包裹所述导电多晶硅（8）的栅氧层（9）。
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