[实用新型]一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件

摘要

本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，包括第一导电类型硅衬底和第一导电类型硅外延层，在第一导电类型硅外延层内设有沟槽，在沟槽内设有场氧层、屏蔽栅、栅极及栅氧层，相邻的沟槽间设有第二导电类型体区及第一导电类型源区，在沟槽与第一导电类型源区上设有绝缘介质层和源极金属，其特征在于，在相邻沟槽间的平台区，源极金属通过两个通孔与第二导电类型体区接触，且每个通孔下方均设有第二导电类型源区；本实用新型将传统的单一通孔改进为双通孔，能够有效抑制电流向平台中心汇聚，从而抑制了击穿薄弱点的产生，使得深沟槽器件可以采用电阻率更低的外延层与更厚的场氧层，进而降低器件的导通电阻。

主权项

1.一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，包括用于引出漏区的第一导电类型硅衬底（1）及位于所述第一导电型类型硅衬底（1）上的第一导电类型硅外延层（2），在所述第一导电类型硅外延层（2）内设有沟槽（13），在所述沟槽（13）内设有场氧层（3）、被所述场氧层（3）包裹的屏蔽栅（4）、位于屏蔽栅（4）顶端两侧的由多晶硅形成的栅极（5）及包裹在所述栅极（5）周围的栅氧层（6），所述栅极（5）位于场氧层（3）的顶部，相邻的沟槽（13）间的第一导电类型硅外延层（2）表面设有第二导电类型体区（8）及位于所述第二导电类型体区（8）表面的第一导电类型源区（9），在沟槽（13）与第一导电类型源区（9）上设有绝缘介质层（11），在所述绝缘介质层（11）上设有源极金属（12），其特征在于，在相邻沟槽（13）间的平台区，所述源极金属（12）通过两个通孔（7）与第二导电类型体区（8）接触，且每个通孔（7）下方均设有第二导电类型源区（10）。