[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201820488354.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN208478343U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;刘春利 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高文静 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件。本实用新型公开了半导体器件的具体实施，该半导体器件可包括：具有多个单元的第一层，每个单元具有漏极指状物、源极指状物和栅极环；具有漏极焊盘和源极焊盘的第二层，该漏极焊盘具有宽度并且该源极焊盘具有与漏极焊盘基本上相同的宽度；其中该第一层的每个漏极指状物的宽度宽于该第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且该源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中该第一触点的宽度宽于该第二触点的宽度。本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体器件。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 本实用新型 漏极焊盘 触点 漏极指状物 源极焊盘 第一层 源极指 状物 技术效果 栅极环 改进 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；至少一个漏极焊盘；多个源极焊盘；栅极总线，与所述多个单元耦接；以及耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；并且其中漏极焊盘、所述多个源极焊盘以及栅极焊盘中的一个位于漏极指状物、源极指状物、和栅极中的一个之上。
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