[实用新型]一种悬空二硫化钼柔性离子传感器有效

专利信息
申请号: 201820495830.X 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN208076440U 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 李鹏 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 段俊涛
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种悬空二硫化钼柔性离子传感器,包括从上到下连接在一起的氮化硼、二硫化钼、氮化硼,金属电极,柔性基底;所述二硫化钼位于氮化硼下方,位于氮化硼上方;所述二硫化钼和氮化硼、氮化硼组成复合梁结构,梁两端分别与金属电极接触,中间部分悬空;柔性基底位于所述复合梁结构悬空部分下方。氮化硼作为保护层,有效隔绝二硫化钼上下表面与空气,以及空气中的水蒸气接触,防止二硫化钼在空气中退化,悬空结构可以防止二硫化钼与柔性基底直接接触,从而可以避免基底对二硫化钼的散射影响;这种结构可使二硫化钼离子传感器获得更好的检测下限、提高长期稳定性,并且降低基底形变对器件的影响。
搜索关键词: 二硫化钼 氮化硼 离子传感器 柔性基底 悬空 金属电极 复合梁 基底 长期稳定性 水蒸气 从上到下 上下表面 悬空结构 形变 保护层 散射 退化 检测
【主权项】:
1.一种悬空二硫化钼柔性离子传感器,其特征在于,包括从上到下连接在一起的氮化硼层(2‑1)、二硫化钼层(2‑2)、氮化硼层(2‑3),金属电极(2‑4)和柔性基底(2‑5);所述二硫化钼层(2‑2)位于氮化硼层(2‑1)下方,位于氮化硼层(2‑3)上方,且二硫化钼层(2‑2)和氮化硼层(2‑1)、氮化硼层(2‑3)组成复合梁结构,复合梁两端分别与金属电极(2‑4)连接,复合梁中间部分悬空;所述柔性基底(2‑5)位于所述复合梁结构悬空部分下方。
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