[实用新型]功率MOS器件

摘要

本公开涉及功率MOS器件，其中功率MOS晶体管具有耦合至电源节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测MOS晶体管具有耦合至检测节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测电阻器具有耦合至电源节点的第一端子以及耦合至检测节点的第二端子。

主权项

1.一种功率MOS器件，其特征在于，包括：功率MOS晶体管，具有第一导电端子、栅极端子和第二导电端子，所述功率MOS晶体管的第一导电端子电耦合至参考电位节点，所述功率MOS晶体管的栅极端子电耦合至驱动节点，并且所述功率MOS晶体管的第二导电端子电耦合至负载节点；检测MOS晶体管，具有第一导电端子、栅极端子和第二导电端子，所述检测MOS晶体管的第一导电端子电耦合至检测节点，所述检测MOS晶体管的栅极端子电耦合至所述驱动节点，并且所述检测MOS晶体管的第二导电端子电耦合至所述负载节点；检测电阻器，具有第一端子和第二端子，所述第一端子电耦合至所述参考电位节点；以及开关，电耦合至所述检测电阻器的第二端子，并且被配置为将所述检测电阻器选择性地电耦合至所述检测节点。