[实用新型]一种多晶硅玻璃电池薄膜有效
申请号: | 201820532185.4 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN208622737U | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 郭雅婷 | 申请(专利权)人: | 郭雅婷 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多晶硅玻璃电池薄膜,包括电池薄膜装置主体、壳体、背板和多晶硅玻璃,前板底部设置有防爆膜紧密贴合在前板上,可以进行对前板以及丁基热熔胶和结构硅胶进行有效防爆保护,电池薄膜装置主体底部左侧设置有结构硅胶紧密焊接在电池薄膜装置主体上,结构硅胶属于结构胶粘接强度提高了电池薄膜装置主体密封性,硬掩膜层顶部设置有氧化硅层固定连接在硬掩膜层上,很好提高了电池薄膜装置主体致密性,无机抗反射层底部设置有不定形碳层紧密焊接在无机抗反射层上,属于比较稳定一个层体,可以防止在蚀刻过程中电池薄膜装置主体会出现崩塌后果,提高了电池薄膜装置主体保护能力,适用于电池薄膜的使用,在未来具有广泛的使用前景。 | ||
搜索关键词: | 电池薄膜 装置主体 结构硅胶 多晶硅 前板 无机抗反射层 玻璃电池 硬掩膜层 薄膜 焊接 蚀刻 本实用新型 丁基热熔胶 保护能力 顶部设置 防爆保护 紧密贴合 氧化硅层 不定形 防爆膜 结构胶 密封性 致密性 背板 崩塌 壳体 碳层 粘接 玻璃 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅玻璃电池薄膜,包括电池薄膜装置主体(1)、壳体(101)、背板(2)和多晶硅玻璃(3),其特征在于:所述电池薄膜装置主体(1)的表面设置有壳体(101),所述壳体(101)通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体(1)上,所述电池薄膜装置主体(1)的底部左侧设置有结构硅胶(105),所述结构硅胶(105)通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体(1)上,所述电池薄膜装置主体(1)的顶部设置有前板(102),所述前板(102)通过板体紧密贴合在电池薄膜装置主体(1)上,所述前板(102)的底部设置有防爆膜(103),所述防爆膜(103)通过板体紧密贴合在前板(102)上,所述电池薄膜装置主体(1)的底部右侧设置有丁基热熔胶(104),所述丁基热熔胶(104)通过板体紧密贴合在电池薄膜装置主体(1)上,所述电池薄膜装置主体(1)的底部设置有背板(2),所述背板(2)通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体(1)上,所述电池薄膜装置主体(1)的顶端设置有多晶硅玻璃(3),所述多晶硅玻璃(3)通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体(1)上,所述多晶硅玻璃(3)的底端设置有半导体衬底(301),所述半导体衬底(301)通过板体紧密贴合在多晶硅玻璃(3)上,所述半导体衬底(301)的顶部设置有栅极氧化层(302),所述栅极氧化层(302)通过胶水固定连接在半导体衬底(301)上,所述栅极氧化层(302)的顶部设置有多晶硅层(303),所述多晶硅层(303)通过胶水固定连接在栅极氧化层(302)上,所述多晶硅层(303)的顶部设置有多晶硅氧化硅层(304),所述多晶硅氧化硅层(304)通过焊接条紧密焊接在多晶硅层(303)上,所述多晶硅氧化硅层(304)的顶部设置有硬掩膜层(305),所述硬掩膜层(305)通过板体紧密贴合在多晶硅氧化硅层(304)上,所述多晶硅玻璃(3)的顶端设置有光阻层(3010),所述光阻层(3010)通过焊接条紧密焊接在多晶硅玻璃(3)上,所述光阻层(3010)的底部设置有有机抗反射层(309),所述有机抗反射层(309)通过板体紧密贴合在光阻层(3010)上,所述有机抗反射层(309)的底部设置有无机抗反射层(308),所述无机抗反射层(308)通过胶水固定连接在有机抗反射层(308)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的