[实用新型]一种半导体加工部件电弧溶射专用保护治具有效
| 申请号： | 201820537130.2 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN208000905U | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 熊志红;张远 | 申请（专利权）人： | 深圳仕上电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市汉唐知识产权代理有限公司 44399 | 代理人： | 刘海军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体加工部件电弧溶射专用保护治具，保护治具包括第一主体和第二主体，第一主体和第二主体相对设置，第一主体内开设有第一凹槽，第一主体顶面与一个侧面处设置有与第一凹槽连通的开口，第一主体的侧面的开口处设置有中间凸块，第二主体内开设有第二凹槽，第二主体顶面与一个侧面处设置有与第二凹槽连通的开口，第二主体底面上设置有溶射缺口。本实用新型采用特殊的结构设计，可方便的将待加工工件放入其中，外部仅保留需要溶射处理部分，其放入、取出都非常方便，极大的提升了加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 治具 半导体加工部件 电弧 本实用新型 凹槽连通 主体顶面 专用保护 侧面 放入 内开 开口 待加工工件 加工效率 相对设置 中间凸块 开口处 取出 外部 保留 | ||
【主权项】：
1.一种半导体加工部件电弧溶射专用保护治具，其特征是：所述的保护治具包括第一主体和第二主体，第一主体和第二主体相对设置，第一主体内开设有第一凹槽，第一主体顶面与一个侧面处设置有与第一凹槽连通的开口，第一主体的侧面的开口处设置有中间凸块，第二主体内开设有第二凹槽，第二主体顶面与一个侧面处设置有与第二凹槽连通的开口，第二主体底面上设置有溶射缺口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
