[实用新型]一种降低应力迁移的金属互连结构有效
| 申请号： | 201820572220.5 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN208028059U | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 姚斌;陈雷刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种降低应力迁移的金属互连结构，其属于半导体领域的技术，包括：相邻设置的下金属层和上金属层，所述下金属层和所述上金属层之间设有介质层；连接通孔，所述连接通孔设置于所述介质层，所述连接通孔上端与所述上金属层相连，所述连接通孔的下端通过一呈条形的窄金属层与所述下金属层相连；多个伪通孔，所述伪通孔为设置于所述介质层中的盲孔，所述伪通孔的开口与所述下金属层相接。该技术方案的有益效果是：本实用新型能够通过沟槽阻碍空位扩散，并且通过伪通孔对应金属层中的应力梯度进行分散，能够有效的阻碍下金属层和窄金属层处的空位聚集并降低该处的应力，从而能够降低应力迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 下金属层 连接通孔 通孔 上金属层 应力迁移 介质层 金属层 金属互连结构 半导体领域 本实用新型 空位聚集 空位扩散 相邻设置 应力梯度 上端 阻碍 盲孔 下端 开口 | ||
【主权项】：
1.一种降低应力迁移的金属互连结构，其特征在于，包括：相邻设置的下金属层和上金属层，所述下金属层和所述上金属层之间设有介质层；连接通孔，所述连接通孔设置于所述介质层，所述连接通孔上端与所述上金属层相连，所述连接通孔的下端通过一呈条形的窄金属层与所述下金属层相连；多个伪通孔，所述伪通孔为设置于所述介质层中的盲孔，所述伪通孔的开口与所述下金属层相接。
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